1663РУ1 - первая 90нм SRAM от Микрона : фото выходного дня

1663РУ1 - микросхема статической памяти на 16 Mibit, произведенная по технологии 90нм на Микроне.

Технология 90нм была лицензирована у STMicroelectronics еще в 2010-м году, оборудование установлено к концу 2012 года, но только сейчас первые продукты дошли до нас и других коммерческих потребителей.






После снятия металлизации. В каждом из "квадратиков" - матрица 64x128 бит, итого 16 Mibit на весь кристалл.


Наконец сами ячейки памяти. Площадь ячейки - 1.2 мкм², что соответствует среднему уровню технологий на 90нм (самые лучшие - порядка 1 мкм²). По началу смутило, что минимальный полушаг в управляющих транзисторах - 180нм, но и у STM32 он также существенно больше норм самой памяти. 90нм в памяти честные. Масштаб : 1px=57нм.


Для сравнения, SRAM от ST Microelectronics (из STM32F100C4T6B) на 180нм в том же масштабе. Ячейки просто конские.


Если взять кусочек, где немного первого металла осталось - хорошо видно, что Микрон использует более современную, оптимизированную для фотолитографии версию статической памяти, где на критических слоях используются только прямые линии. Приятно, что к 90нм не стали подходить формально, масштабируя опробованную, классическую реализацию.


Andrew Zonenberg поясняет, как тут расположена 6T ячейка SRAM памяти:


Теперь можно смело поздравить Микрон с достижением важной вехи в реальном продукте, а не на бумаге!

Размер кристалла - 5973x6418 µm.